
来源:猎云网
2026年3月,矽赫微科技(上海)有限公司(以下简称“SHW”)宣布完成新一轮融资,由元禾璞华领投,合肥产投、哇牛资本、君子兰资本、萨珊资本、曦晨资本、苏高新、东方嘉富以及江苏大摩半导体等众多知名投资机构和产业方投资。融资将重点用于混合键合设备、XOI复合衬底全自动键合设备、BSPDN全自动键合设备、高真空异质键合设备、D2W混合键合晶圆表面处理系统等核心设备的国内市场化布局,加速产品产业化落地与客户交付。
SHW总部位于上海浦东新区,并设有日本研发中心,专注于半导体晶圆永久键合解决方案,依托中日整建制团队的深度协同形成了独特的技术研发优势。公司核心团队能力精准互补,具备覆盖等离子活化、清洗、对准、键合、量检测等混合键合设备全流程核心研发能力。中方团队核心成员多来自睿励、上海微等国内半导体设备龙头,带头人王笑寒博士拥有美国20余年先进研究及KLA工作经验,创办的睿励科学仪器是国内首批半导体前道工艺及首家量检测领域国产设备企业,推动了国内相关设备的国产化从 0 到 1 的突破;日方团队带头人长田厚TEL出身,在等离子体、键合、清洗等领域经验丰富,曾带领团队成功为海外头部Fab厂交付混合键合设备,还主导刻蚀、硅化、CVD等多款半导体设备开发,具备成熟的高端设备量产落地能力。
目前,SHW已构建起完善的产品矩阵,涵盖XOI复合衬底全自动键合设备、全自动混合键合设备、BSPDN全自动键合设备、高真空异质键合设备、D2W混合键合晶圆表面处理系统五大核心装备,并配套量检测、退火等设备。公司全球独创的IFB键合技术可实现双片原位高效无损键合,在低应力异质键合领域实现突破。此外,还拥有模块化设计与多元工艺技术储备,可横向拓展多种键合技术打造四合一设备,纵向延伸至红外空洞检测、快速退火等下游工艺。现阶段,公司产品已在国内外多家头部Fab厂打样并获高度认可,与大陆、台湾、日本市场多家量产客户及科研院所达成战略合作与采购协议,预计2026年3月键合设备主机台将正式发往客户端。

全球半导体产业正加速向3D集成转型,混合键合技术成为关键突破口。HBM、3D NAND、CIS等产品的先进封装工艺均离不开混合键合技术,且随着产品迭代,对键合精度要求已来到100nm节点。例如HBM产品,随着堆叠层数增至12层以上,混合键合替代传统凸点技术,接点密度可至少提升20倍。在应用混合键合时,1平方毫米的面积内可连接10,000至100,000个通孔,在极大提高传输密度的同时可大幅度降低功耗、提升生产效率、降低生产成本;行业巨头如台积电、三星和英特尔正在竞相推进5纳米及更先进制程技术的开发,在这一进程中,混合键合技术显得尤为关键,被视为高端制造的必由之路。
在第三代半导体材料制造领域。HCUT技术通过氢离子注入剥离与直接键合工艺结合,创新性地实现SiC、GaN、LiNbO3、Ga2O3等高品质外延片的低成本量产。其核心原理为:利用高能氢离子在单晶外延层下方形成纳米级损伤层,通过精准退火剥离外延层并键合至多晶衬底,形成"单晶薄膜+低成本衬底"的复合结构。而无中间层键合技术,可去除晶圆表面杂质层,实现键合后材料间的直接电性接触,为生产导电型化合物衬底和更优性能的器件提供可能性,以SmartSIC为例,使用高掺SIC多晶衬底和SIC外延键合,可提供SIC功率器件约21%的性能。目前,Soitec与Resonac已联手推进200mm SmartSiC晶圆量产,同时联合意法半导体、X-FAB等35家厂商构建技术生态,标志着全球第三代半导体产业链进入技术竞速新阶段,无中间层键合技术也成为国内外材料厂商“必争之地”。
依托中日双方的优质资源与技术积累,SHW成为国内为数不多的能提供完整键合解决方案的企业,可提供100nm高精度混合键合方案、多种材料无中间层键合解决方案,以及 20nm 套刻测量、成熟技术快速退火设备,能够基于自身技术经验、行业 Know-how,精准匹配上下游产业链的实际需求。在团队建设方面,除了创始团队中的等离子体、键合工艺、软件算法、光学设计专家外,公司后续还将进一步引入光学量测、微环境控制、应用技术、新材料研发等领域拥有多年行业经验的专家。
工艺方面,SHW通过与国内外大型fab、研发平台合作,结合产线生产机台及工艺节点实际需求反馈,积累了大量宝贵的键合工艺know-how。并基于这些数据,打造不同材料和工艺大模型,以节约工艺试错时间,缩短新工艺开发周期,满足客户个性化的工艺需求。
本轮融资的圆满落地,不仅是投资机构对SHW技术实力、产品落地能力及发展前景的高度认可,更体现了产业投资方对高端键合赛道国产化布局的长期看好。在各方资源的协同助力下,公司将持续推进高端键合全栈产品的自主创新与国产化攻坚,深化与客户、供应链生态伙伴的战略合作,构建互利共赢的产业协同体系,携手行业共同探索并定义新一代键合技术体系,推动先进封装键合技术的迭代升级。
SHW创始人王笑寒博士表示:“先进封装的核心是互连密度与制造成本的平衡,H-CUT工艺抉择亦然。SHW以三大创新破局:一是中日协同研发,新工艺、新设备周期分别缩短30%、50%;二是联动行业龙头,共建混合键合与Chiplet异质键合平台;三是攻坚国产部件验证替代,打破进口设备技术壁垒。而当我们把键合精度推进到50nm以内,本质上会重构产业链价值分配权。”
元禾璞华董事总经理陈瑜表示:“今年是AI爆发式增长的一年,材料生产端,SOITEC在边缘计算与AI方向的营收占其总营收的42%;芯片设计端,英伟达、AMD等在AI领域不断加码;OpenAI、Google等公司模型迭代速度极快;AI正在全面重构全球产业格局与经济结构。我们看好SHW键合技术在AI相关材料、算力、存储等核心环节的底层支撑价值,是我们在产业链布局的核心竞争力。”
东方嘉富执行总经理罗毅风表示:混合键合是后摩尔时代半导体产业的核心底层工艺,在先进封装、SOI材料、Micro LED等领域的应用价值持续释放,发展潜力巨大。SHW中日整建制团队形成了极强的能力互补,融合了本土产业化经验与海外顶尖技术积淀,我们看好公司持续的自主创新能力,将持续助力键合技术在各核心领域实现突破。
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